美国制裁力度加大！哈工大喜迎“破天技术”，

近年来，美国越来越收紧对中国芯片的控制，几乎就像试图封锁道路一样。从2022年开始，美国商务部加大力度。首先，它推出《芯片与科学法案》，斥资超过500亿美元补贴本国半导体产业，并刻意禁止在中国销售高端芯片设备。到了2023年，掌控范围扩大，NVIDIA A100、H100的高性能图形处理器直接停产，只能改成卖点稍大，但性能打折扣的A800、H800。荷兰ASML也加入进来，从2023年1月开始，将停止向中国出口深紫外光刻机，导致中国7纳米及以上芯片生产陷入停滞。 2024年，美国将更新云服务政策，防止中国远程规避禁令d 产品。进入2025年，这种势头还没有停止。 3月份，42家中国实体被直接列入贸易黑名单，9月份又增加了23家，禁止设计软件和化学品出口。 10月，美国还考虑限制使用美国软件制造的芯片向中国出口，影响全球供应链。 Nvidia 的黄仁勋在 2023 年接受采访时表示，这些控制损害了公司的业务。中国市场原本占其营收的20%以上。现在，2025年上半年，对中国的出口下降了15%。该公司需要调整产品线并游说政府放松限制，但目前还没有重大动作。美国内部，商界也不满。 2023年，多家技术协会联合下发规范创新壁垒的批复函。半导体行业协会报告称，到 2024 年，美国公司将我损失了数百亿订单。 2025年10月，美国商务部将数十家中国实体列入黑名单，禁止某些材料和工具出口。这些措施让中国半导体产业链承受巨大压力，出现设备短缺、生产延误的情况。许多企业已转向本地供应链，并投入了更多研发资金。华为将于2023年推出麒麟9000s芯片，采用7纳米工艺，对限制条件略有限制，但产量有限。到2024年，中国芯片进口将削减10%，企业将于2025年开始测试本土光刻设备，以减少依赖。整个过程中，美国经历了多轮规则修改堵住技术漏洞，涵盖了从硬件到软件的方方面面。荷兰政府于 2023 年 7 月因移民政策崩溃，并将于 11 月提前举行选举。新政府继续上任后对中国实施出口管制。 2025年6月，荷兰政府再次倒台，极右翼退出联盟，10月29日举行新选举。经济上，2024年ASML对华业务将减少30%，股价波动较大。中国方面，2023年美国玉米进口量将减少，5月部分订单将被取消。总交易量比去年的峰值下降了 62.8%。 2024年1月至11月，自美国农产品进口下降14%，价值260亿美元。 2025年上半年又下跌73%，美国农民损失68亿美元。这些变化是由于中美贸易摩擦加剧以及美国的管制迫使中国调整采购。 2023年6月，中国通过了《对外关系法》，该法将于7月1日起施行，为外交提供了法律框架，增强了国际话语权。 2023年7月3日，我国对镓实施出口许可证镓和锗，将于8月1日生效。中国的储量仍占全球镓的94%，锗的83%。此举影响了美国半导体生产。 2023年10月，美国停止进口锗。美国商务部7月5日表示反对，强调供应链应该去中心化，但短期内很难改变。 2024年，美国企业将返回越南和加拿大采购，但成本将增加20%。 2025年3月，中国扩大了稀土限制，影响了美国半导体生产，预计造成34亿美元的GDP损失。耶伦于2023年7月访问中国，与中国官员会面10个小时，讨论经济合作，但在芯片问题上没有进展。 2024年4月第二次访华再次确认两人为侄子，但分歧依然存在。拜登政府持续派官员访华释放信号对话，但根本分歧仍然存在。这些因素综合起来，产生了中美之间的技术对抗，中国依靠国内创新进行反击。话虽如此，当这些控制层层叠起来时，哈尔滨工业大学却传来了重磅消息。该团队开发了一种产生等离子体的强紫外光源，波长为13.5纳米，转换效率符合标准。到2024年底，这一成果将获得国家科学技术奖，这标志着我国在光刻基础器件方面实现了自主研发。团队开始着眼于2020年攻克等离子体稳定性问题，采用特定的电极材料来保证稳定的输出。研究跨物理材料科学，模拟不同条件下的等离子体行为，防止能量损失。 2025年1月，哈尔滨工业大学正式宣布成功研制出13.5纳米极紫外光源，实用功率120瓦。这项技术与西方产生等离子体路径的主要激光器不同。它由电能激励，成本低廉，可以集成到现有线路中。过去，中国一直依赖进口光刻机，但美国和荷兰的出口禁令导致供应中断。哈尔滨工业大学利用实验室设备逐步优化这些参数，从最初的测试到稳定输出，历时数年。外媒《南华早报》2025年1月报道称，这一创新阻止了美国的封锁，并采用了降低成本的新途径。 Techovovedas 同月分析称，该光源由于能效高，有潜力集成到生产线中。哈尔滨工业大学的工作直接针对芯片制造突破瓶颈，助力中国企业探索先进节点芯片自主制造。该团队负责人在采访中强调，倒逼自主创新是关键，避免外部依赖风险。这一突破不仅是技术上的突破，也助推了中国半导体自力更生。哈尔滨工业大学采用DPP技术，规避了LPP的专利壁垒。虽然输出功率低于ASML250-500瓦，但对于实验和初期生产来说已经足够了。该研究基于毛细管放电Z-Pinch XE等离子体平台，调节主脉冲延迟和XE气体流量，探索低压电流阈值、毛细管内径和电极距离对等离子体和光谱的影响。他还混合，NE或AR气体，它是一个很好的介质。当XE/HE/AR气体混合时，辐射功率增加，电源稳定。激光辅助放电SN p研究等离子体，不同的激光能量，最强辐射为77MJ。 2012年，研究了脉冲电流增加时间对氙箍缩等离子体的影响。 43Ns的辐射比55ns强。金宾理工学院15年前就开始研究EUV光源，可调谐激光器主实验室的状态在几个方面都傲视世界。 DPP EUV利用XE或SN电荷的发射形成等离子体，反射紫外线，并通过多层镜面反射清洗以获得EUV。优点：能量转换效率高、价格低；缺点：电力热负荷极高、碎片多、机构复杂、光学易碎、收集角度小。不过经过哈尔滨工业大学优化，主功率为43瓦。虽然尚未达到商业用途，但潜力巨大。与ASML LPP使用CO2激光器轰击锡滴相比，其复杂性大型 HIT 解决方案结构紧凑，价格昂贵。 EUV光刻需要光源光学系统和掩膜版的配合，哈尔滨工业大学在其他领域提供了新思路。业界称EUV是芯片的皇冠，光源是宝石。哈尔滨工业大学证明了中国的科研竞争力。国外媒体对此事件反应热烈，不少人表示规则已经改变。 《南华早报》称，该奖项的结果使用不同的技术路径来产生EUV激光，这超出了美国的芯片禁令。刘伟博士在 Linkedin 上发布，哈尔滨工业大学里程碑，13.5nm EUV 光源。 Techovovedas报道称，哈尔滨工业大学的大放电等离子体EUV光源具有高能效和成本效益，hiASML的主导地位受到挑战。 YouTube视频称中国EUV光源成功后突破后，美国立即改变了管制。据Ray Wang对X的评论，哈工大DPP EUV工作获奖并引领重大研究。另一段YouTube视频展示了哈尔滨工业大学13.5NM极紫外光源的成功，中国EUV光刻机的曙光，以及中国空间站上生产的第一个工业级铌合金，彻底改变了航空航天。这些报道表明，外媒认识到中国的转型是围绕封锁展开的，改变了半导体格局。中国的反击正在逐步展开。它减少了美国玉米进口并对矿产出口实施控制，导致美国供应链紧张。2。 2025年10月，中国收紧稀土出口管制。对于国防芯片，它禁止中国稀土产品含量超过0.1%，或要求使用中国加工技术进行出口批准。该公告是在商务部和美国议员呼吁禁止更广泛地向中国出口芯片设备。荷兰经济衰退，政府更迭频繁。耶伦访华释放了信号，但主要问题仍未解决。中国半导体自主化正在加速，哈尔滨工业大学取得的成就非凡，推动了整体技术自主化。全球芯片格局瞬息万变，竞争加剧令外媒担忧。美国的控制部门帮助华为等中国公司并刺激当地的研发。这些事实表明，尽管受到美国的重重管制，中国依靠自力更生，正在逐步取得进展。哈尔滨工业大学的成功就是一个例子。外媒询问如何做到这一点，并指出了格局的变化。返回搜狐查看更多